Popis předmětu - XP34APD

Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
XP34APD Moderní výkonové polovodičové součástky A INTEGROVANÉ OBVODY
Role:S Rozsah výuky:2P+2C
Katedra:13134 Jazyk výuky:CS
Garanti:Vobecký J. Zakončení:ZK
Přednášející:Vobecký J. Kreditů:4
Cvičící:Vobecký J. Semestr:Z,L

Anotace:

Fyzikální a technologické principy, trendy vývoje. Parametry a aplikace. Struktury bipolární, MOS, BiMOS, diody (bipol., Schottkyho), tranzistory (bipol., MOS, IGBT), tyristory (vč. GTO, MCT). Sekundární průraz, mechanismus, mezní hodnoty parametrů. Smart-power a vysokonapěťové IO, činnost, principy, aplikace.

Výsledek studentské ankety předmětu je zde: XP34APD

Osnovy přednášek:

1. Fyzikální a technologické struktury
2. Trendy vývoje
3. Parametry a aplikace
4. Struktury bipolární
5. Struktury MOS
6. Struktury BiMOS
7. Diody PN
8. Schottkyho diody
9. Bipolární tranzistory
10. Tranzistory MOS a IGBT
11. Tyristory (včetně GTO a GCT)
12. Sekundární průraz, mechanismus, bezpečná oblast
13. Smart power součástky
14. Vysokonapěťové IO, činnost, principy, aplikace

Osnovy cvičení:

n

Literatura:

B. J. Baliga, Power Semiconductor Devices, PWS Publishing Company, 2000

Požadavky:

-

Webová stránka:

https://moodle.fel.cvut.cz/course/view.php?id=3730

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:

Plán Obor Role Dop. semestr
DOKP Před zařazením do oboru S
DOKK Před zařazením do oboru S


Stránka vytvořena 30.11.2020 17:50:52, semestry: L/2021-2, Z,L/2020-1, L/2019-20, Z/2021-2, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)
Za obsah odpovídá: doc. Ing. Ivan Jelínek, CSc.