Popis předmětu - AE0M13MKV

Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
AE0M13MKV Advanced Components of Power Electronic Rozsah výuky:2P+2L
Garanti:  Role:V Jazyk výuky:EN
Vyučující:  Zakončení:Z,ZK
Zodpovědná katedra:13113 Kreditů:5 Semestr:L

Anotace:

Power semiconductor device (diodes, BJTs, thyristors, MOSFETs and IGBTs) and integraed structures (modules). Structures, function, characteristics and parameters, conditions for reliable operation. Connection of devices in parallel and in series. Operating reliability of power components and equipments.

Výsledek studentské ankety předmětu je zde: AE0M13MKV

Cíle studia:

Seznámit studenty se strukturou, funkcí, základními parametry moderních výkonových polovodičových součástek.

Osnovy přednášek:

1. Introduction. Physics of basic structures
2. Materials for power devices (Si, SiC, GaN)
3. Power diodes (static and dynamic characteristics)
4. Schottky diodes and combined structures
5. Power transistors and thyristors
6. Modern thyristor type devices (GTO, IGCT, LTT)
7. Power MOSFETs (VDMOS, TMOS, SJMOS)
8. IGBTs. PT and NPT structures.
9. Devices for high frequency operation (LD MOS, HJT)
10. Power integration (PIC, IPM)
11. The cooling of power device.
12. Device encapsulations and heat sinks
13. Device connection in series and in parallel
14. Operating reliability of power devices and components

Osnovy cvičení:

1. Introduction
2. The first group of laboratory tasks - theory and ezpalation
3. The sekond group of laboratory tasks - theory and explanation
4. The third group of laboratory tasks - theory and explanation
5. Measuring of temperature dependence of reverse characteristics of thyristors and diodes
6. Measuring of temperature dependence of forward characteristics of thyristors and diodes
7. Measuring of dynamic paprameters during diode reverse recovery process
8. Measuring of static characteristics of BJT, MOSFET a IGBT in dependence on temperature
9. Measuring og dynamec parameters of semiconductor switches
10. Meausring of the trajectory of the operating point during device switching
11. Measuring of pasive devioce parametrs
12. Measuring of transient thermal impedance
13. Materiále and construction of components - exhibition
14. Closing

Literatura:

1. Benda, V., Gowar, J., Grant, G. A. Power Semiconductor Devices.
Chichester: J.Wiley & Sons. 1999
2. Baliga, J. Power Semiconductor Devices. Boston: PWS Publishing
Company.1995

Požadavky:

A student has to obtain a credit before an examination

Poznámka:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14p+6l

Webová stránka:

https://moodle.fel.cvut.cz/courses/AE0M13MKV

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:

Plán Obor Role Dop. semestr
MEKME1 Bezdrátové komunikace V
MEKME5 Komunikační systémy V
MEKME4 Sítě elektronických komunikací V
MEKME3 Elektronika V
MEKME2 Multimediální technika V
MEOI1 Umělá inteligence V
MEOI5NEW Softwarové inženýrství V
MEOI5 Softwarové inženýrství V
MEOI4 Počítačová grafika a interakce V
MEOI3 Počítačové vidění a digitální obraz V
MEOI2 Počítačové inženýrství V
MEEEM1 Technologické systémy V
MEEEM5 Ekonomika a řízení elektrotechniky V
MEEEM4 Ekonomika a řízení energetiky V
MEEEM3 Elektroenergetika V
MEEEM2 Elektrické stroje, přístroje a pohony V
MEKYR4 Letecké a kosmické systémy V
MEKYR1 Robotika V
MEKYR3 Systémy a řízení V
MEKYR2 Senzory a přístrojová technika V


Stránka vytvořena 13.12.2019 17:50:30, semestry: Z,L/2020-1, L/2018-9, Z,L/2019-20, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)
Za obsah odpovídá: doc. Ing. Ivan Jelínek, CSc.