Fakulta elektrotechnická

České vysoké učení technické v Praze

ČVUT v Praze

Popis předmětu - A8M17RFB

Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
A8M17RFB RF funkční bloky Rozsah výuky:6+0
Garanti:Hoffmann K. Role:PO Jazyk výuky:CS
Vyučující:Hoffmann K. Zakončení:Z,ZK
Zodpovědná katedra:13117 Kreditů:7 Semestr:Z

Anotace:

Předmět seznamuje s vysokofrekvenčními a mikrovlnnými pasivními obvody v planárních a monolitických strukturách - vedeními, směrovými členy, děliči, filtry, rezonančními obvody a CAD nástroji pro návrh mikrovlnných obvodů. Dále jsou obsahem mikrovlnné diody, tranzistory, bipolární, MESFET a HEMPT, základní parametry zesilovačů, návrh úzkopásmových a širokopásmových a nízkošumových zesilovačů, mikrovlnné diodové a tranzistorové oscilátory, detektory a směšovače, násobiče. Předmět také přehledně pokrývá .problematiku základního mikrovlnného měření. Měření výkonu, skalární analyzátor, spektrální analyzátor, měření šumu, měření frekvence, vektorové měření, měření v časové oblasti.

Osnovy přednášek:

1. Základní rf. a mikrovlnné veličiny, typy vedení, planární a monolitické technologie, programové nástroje.
Planární vedení - symetrické, mikropáskové, štěrbinové koplanární, vázané vedení.
2. Směrové vazební členy - směrová odbočnice z vázaných vedení, příčkové vazební členy, kruhové vazební
členy, kombinovaný hybridní člen.
3. Děliče výkonu, odporové, Wilkinsonův, děliče s nestejným dělicím poměrem, mnoha výstupové děliče.
Mikrovlnné součástky se soustředěnými parametry.
4. Rezonanční obvody v mikrovlnné integrované technice. Mikrovlnné planární filtry (LC, .s rozloženými
parametry, dielektrické, keramické, SAW, YIG).
5. Stabilita dvoubranu. Úzkopásmové a širokopásmové přizpůsobení.
6. Mikrovlnné tranzistory, BJT, HBT, MESFET, HEMPT, mikrovlnné diody, Schottky, varaktory, SRD, PIN,
tunelové, lavinové, Gunnovy.
7. Tranzistorové zesilovače, návrh s absolutně stabilním a podmíněně stabilním tranzistorem, nízkošumové,
širokopásmové, balanční, zpětnovazební, s postupnou vlnou, výkonové, třídy A, B, C, D, E, F, nelineární zkreslení.
8. Oscilátory, diodové, tranzistorové, aktivní rezonanční obvody, dvoubranový návrh.
9. Směšovače, jednodiodový směšovač, balanční směšovač, tranzistorový směšovač.
10. Frekvenční násobiče, varistorové násobiče, varaktorové násobiče na barierové kapacitě, SRD násobiče,
tranzistorové násobiče.
11. Základní měřené parametry vf. obvodů ve frekvenční a časové oblasti, důležitost impedančního přizpůsobení.
Základní odlišnosti od nf. měření Skalární analyzátor, detektory a směrové můstky, blokové schéma zapojení, měření odrazů a přenosů, kalibrace a chyby měření, použití AM. Měření výkonu.
12. Spektrální analyzátor, vnitřní zapojení a hlavní parametry, měření nelineárních parametrů, způsob popisu
nelineárního chování VF obvodů, buzení nelineárních obvodů při výpočtech a měření, Nelineární produkty 2. a 3. řádu, Měření bodů -1dB komprese, měření vyšších harmonických, IP2, IP3, měření IM produktů. Měření frekvence, mikrovlnné čítače.
13. Měření šumového čísla a šumové teploty, Definice F, Te, šumové číslo imp. přizpůsobených pasivních obvodů,
princip měření F, definice Y, základní šumové zdroje, definice ENR, Friisův vztah, měření DSB, SSB
14. Vektorové měření s-parametrů, základní principy vektorového měření s-parametrů, měření jednobranů,
dvoubranů a vícebranů, chyby měření, kalibrační metody. Měření v časové oblasti.

Osnovy cvičení:

Literatura:

1. Thomas H. Lee, Planar Microwave Engineering,Cambridge University Press
2. George D. Vendelin, Anthony M. Pavio, Ulrich L. Rohde, Microwave Circuit Design Using Linear and
Nonlinear Techniques, John Willey
3. G. H. Bryant, Principles of Microwave Measurements, IEE Electrical Measurement Series 5, Peter Peregrinus
4. K. Hoffmann, Planární mikrovlnné obvody, skriptum ČVUT FEL
5. K. Hoffmann, P. Hudec, V. Sokol, Aktivní mikrovlnné obvody, skriptum ČVUT FEL

Požadavky:

Webová stránka:

http://moodle.fel.cvut.cz

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:

Plán Obor Role Dop. semestr
MPOES2 Vysokofrekvenční a digitální technika PO 1


Stránka vytvořena 12.12.2017 05:47:39, semestry: L/2016-7, Z,L/2017-8, Z/2018-9, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)
Za obsah odpovídá: doc. Ing. Ivan Jelínek, CSc.