Fakulta elektrotechnická

České vysoké učení technické v Praze

ČVUT v Praze

Popis předmětu - A8M37CAD

Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
A8M37CAD CAD a numerické metody v RF návrhu Rozsah výuky:2+0
Garanti:Dobeš J. Role:PO Jazyk výuky:CS
Vyučující:Dobeš J., Škvor Z. Zakončení:KZ
Zodpovědná katedra:13137 Kreditů:3 Semestr:L

Anotace:

Předmět seznámí studenty se základy počítačového návrhu vysokofrekvenčních a mikrovlnných obvodů a systémů.

Osnovy přednášek:

1. Úvod. Algoritmy, jejich podmíněnost a numerická stabilita.
2. Analýza lineárních obvodů - algoritmy vhodné pro obvody se soustředěnými/rozprostřenými parametry.
3. Citlivostní a toleranční analýza.
4. Metody ve frekvenční oblasti: Konečné diference, konečné prvky, Momentové metody
5. Metody v časové oblasti. FDTD, formulace, konvergence a stabilita, okrajové podmínky, numerická disperse.
6. Harmonická rovnováha a Volterrovy řady.
7. Modelování vf. prvků; model BJT (základní parametry, modifikovaný model Gummel-Poon, kvazisaturační
modelování vf. tranzistorů, modelování zpoždění v mikrovlnných prvcích).
8. Modely tranzistorů MOSFET (obecný semiempirický model, základní vlastnosti modelů BSIM a EKV pro
submikronové technologie, modely výkonových vf. prvků LDMOS)
9. Modely prvků JFET/MESFET/pHEMT/SiGe, (kmitočtová) disperze jejich parametrů a parametrů modelů
vedení
10. Analýza nelineárních obvodů, základní vlastnosti algoritmů řešení systémů nelineárních algebrodiferenciálních
rovnic, potlačení divergence.
11. Semisymbolická analýza, výpočet nul a pólů velkých soustav, využití řídkých matic, linearizace, užití
Volterrových řad pro návrh směšovače
12. Vícekriteriální optimalizace, využití citlivostní analýzy v časové i frekvenční oblasti k optimalizaci. Šumová
analýza s využitím citlivostní analýzy
13. Základy systémového návrhu a optimalizace.
14. Rezerva.

Osnovy cvičení:

Literatura:

1. T.A. Fjedly, T. Ytterdal, M. Shur, Introduction to Device Modeling and Circuit Simulation, John Wiley & Sons,
New York 1998.
2. Andrei Vladimirescu, The SPICE Book, Wiley 1993.
3. Y. Cheng and C. Hu, MOSFET Modeling & BSIM3 Users Guide, Kluwer Academic Publishers, Boston 1999.
4. S. Sedra, K. C. Smith: Microelectronic Circuits, Oxford University Press, 5th ed., 2003.
5. J. Dobeš, V. Žalud: Moderní radiotechnika, BEN - technická literatura, Praha 2006.

Požadavky:

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:

Plán Obor Role Dop. semestr
MPOES2 Vysokofrekvenční a digitální technika PO 2


Stránka vytvořena 12.12.2017 05:47:39, semestry: L/2016-7, Z,L/2017-8, Z/2018-9, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)
Za obsah odpovídá: doc. Ing. Ivan Jelínek, CSc.