Popis předmětu - B1B13VST

Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
B1B13VST Výkonové součástky a technologie Rozsah výuky:3P+2L
Garanti:Mach P., Papež V. Role:P Jazyk výuky:CS
Vyučující:Kuba J., Mach P., Papež V. Zakončení:Z,ZK
Zodpovědná katedra:13113 Kreditů:5 Semestr:L

Anotace:

Budou charakterizovány technologie používané v elektronice, laserové a vrstvové technologie, pouzdřebí IO. Dále budou zmíněny základy výroby vinutí, sušicí a impregnační procesy. Součástí předmětu jsou také základy polovodičových technologií, výroby a kontroly diskrétních polovodičových součástek, včetně technologie výkonové integrace. Dále budou prezentovány svazkové technologie, technologie využívající plazmatu, pouzdření a základní montážní technologie.

Výsledek studentské ankety předmětu je zde: AD1B13VST

Výsledek studentské ankety předmětu je zde: A1B13VST

Cíle studia:

Studenti se seznámí se základními typy technologických procesů užívaných v elektrotechnických výrobách a se základními typy výkonových elektronických součástek a jejich vlastnostmi.

Osnovy přednášek:

1. Lasery a laserový svazek jako technologický nástroj. Aplikace laserového svazku
2. Elektronový svazek jako technologický nástroj. Zdroje elektronového svazku. Plazmové technologie.
3. Tenké vrstvy. Použití tenkých vrstev.
4. Tlusté vrstvy. Dilelektrický ohřev.
5. Indukční ohřev. Technologie v silovém elektrickém nebo proudovém poli.
6. Základy technologie vinutí.
7. Sušení v elektrotechnické výrobě.
8. Technologie impregnace.
9. Technologie silových vodičů a kabelů.
10. Výkonové diody, diody PIN a Schottkyho diody. Statické a dynamické parametry a charakteristiky.
11. Bipolární tranzistor. Statické a dynamické parametry a charakteristiky.
12. Proudem řízené součástky. Tyristory (SCR), vypínatelné součástky GTO, GCT, IGCT.
13. Napěťově řízené součástky, výkonové MOSFETy. Tranzistor IGBT, struktura a parametry.
14. Pasivní součástky pro užití ve výkonových obvodech.

Osnovy cvičení:

1. Organizace výuky. Bezpečnost v laboratoři. Objasnění 1. skupiny úloh.
2. Realizace I. skupiny úloh.
3. Realizace I. skupiny úloh.
4. Realizace I. skupiny úloh.
5. Realizace I. skupiny úloh.
6. Realizace I. skupiny úloh.
7. Realizace I. skupiny úloh.
8. Realizace II. skupiny úloh.
9. Realizace II. skupiny úloh.
10. Realizace II. skupiny úloh.
11. Realizace II. skupiny úloh.
12. Realizace II. skupiny úloh.
13. Realizace II. skupiny úloh.
14. Zápočet.
I. skupina úloh
Impregnační procesy, měkké pájení v elektronice, spojování silových kabelů, připojování vodičů. Vrtání a kontrola DPS, vytváření tenkých vrstev ve vakuu.
II. skupina úloh
Měření teplotní závislosti propustných a závěrných charakteristik diod a tyristorů, měření závěrného zotavení diod, statické parametry tranzistorů, dynamické parametry tranzistorů, přechodné děje při spínání.

Literatura:

Schaaf, P.: Laser processing of materials. Springer. 2012 Plasma processing, Hephaestus books, 2011 Chopra, K. L., Kaur, I.: Thin films devices applications. Plenum Press, 2011 Lutz, J., Schlangenotto, H., Scheuremann, U., De Doncker, R.: Semiconductor power devices. Springer, 2011 Kuba,J.,Mach,P.: Technologické procesy, nakladatelství ČVUT , Praha, 2001 Vobecký, J., Záhlava, V.: Elektronika, součástky a obvody, principy a příklady, GRADA Praha, 2000

Požadavky:

Účast na cvičení je povinná. Student musí získat nejprve zápočet, aby byl připuštěn ke zkoušce. U zkoušky bude požadována znalost odpřednášené látky, vybraných studijních materiálů a látky probrané ve cvičeních.

Poznámka:

Studnet musí získat nejprve zápočet aby byl připuštěn ke zkoušce. Rozsah výuky v kombinované formě studia: 21p+6l

Webová stránka:

https://moodle.fel.cvut.cz/courses/A1B13VST

Klíčová slova:

Výkonové polovodičové součástky, základní technologické procesy

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:

Plán Obor Role Dop. semestr
BPEEM1_2016 Aplikovaná elektrotechnika P 4
BPEEM_BO_2016 Před zařazením do oboru P 4
BPEEM2_2016 Elektrotechnika a management P 4


Stránka vytvořena 11.11.2019 17:50:47, semestry: Z,L/2020-1, L/2018-9, Z,L/2019-20, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)
Za obsah odpovídá: doc. Ing. Ivan Jelínek, CSc.