Popis předmětu - B1M13VSE

Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
B1M13VSE Výkonové součástky v elektrotechnice Rozsah výuky:2P+2L
Garanti:Papež V. Role:PO,PV Jazyk výuky:CS
Vyučující:Papež V. Zakončení:Z,ZK
Zodpovědná katedra:13113 Kreditů:5 Semestr:L

Anotace:

Výkonové polovodičové součástky (diody, tyristory, MOSFET, IGBT) a integrované struktury (moduly). Struktura, funkce, charakteristiky a parametry, podmínky pro spolehlivý provoz. Pasivní součástky pro výkonovou elektroniku. Bezindukční spojení a rozvody. Propojovací vodiče.

Cíle studia:

Studenti budou seznámeni s vlastnostmi záklasních elektronických součástek, jejich použitím v obvodech výkonové elektroniky

Osnovy přednášek:

1. Polovodičové diody.
2. Proudem řízené součástky.
3. Napěťove řízené součástky.
4. Spínací součástky tyristorového typu.
5. Rychlé spínací a vysokofrekvenční součástky.
6. Chlazení a proudová zatížitelnost součástek.
7. Pasivní součástky rezistory.
8. Pasivní součástky kondenzátory.
9. Pasivní součástky indukčnosti a transformátory.
10. Obvody s rozloženými parametry.
11. Součástky s rozloženými parametry, kabely a vedení.
12. Elektromechanické součástky.
13. Sériová a paralelní řazení součástek.
14. Elektromagnetická kompatibilita ve výkonové elektronice.

Osnovy cvičení:

Výklad úloh Teplotní závislost charakteristik výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT Dynamické paramety polovodičových spínačů Vliv zátěže na trajektorii pracovního bodu polovodičových spínačů Výkonové zesilovače Transientní tepelná impedance součástek a chladičů Vlastnosti rezistorů a kondenzátorů při vysokých kmitočtech. Vlastnosti VF cívek a transformátorů. Obvody s rozloženými parametry Přizpůsobení ve výkonových obvodech Vysokofrekvenční a odrušovací filtry. EMC - vyhodnocení rušení Test Zápočet

Literatura:

Studijní literatura a studijní pomůcky: Benda, V., Papež, V. Komponenty výkonové elektroniky,Praha, ČVUT, 2006 Szendiuch, I.: Základy technologie mikroelektronických systémů, VUTIUM, Brno, 2006 Lutz J.et all: Semiconductor Power Devices: Physics, Charakteristics, Reliability, Springer 2011

Požadavky:

Pro získání zápočtu se student účastní seminářů, dokumentuje výsledky měření, odevzdá protokol z jedné laboratorní úlohy

Poznámka:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14p+6l

Klíčová slova:

elektronické součástky, výroba elektronických součástek výkonmové elektronické součástky

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:

Plán Obor Role Dop. semestr
MPEEM1_2018 Elektrické pohony PV 2
MPEEM3_2018 Technologické systémy PV 2
MPEEM2_2018 Elektroenergetika PV 2
MPEEM1_2016 Technologické systémy PO 2


Stránka vytvořena 12.11.2019 17:50:40, semestry: Z,L/2020-1, L/2018-9, Z,L/2019-20, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)
Za obsah odpovídá: doc. Ing. Ivan Jelínek, CSc.