Popis předmětu - XP34ADM

Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
XP34ADM Principy a aplikace součástkových modelů
Role:S Rozsah výuky:1P+3C+3D
Katedra:13134 Jazyk výuky:CS
Garanti:Voves J. Zakončení:ZK
Přednášející:Voves J. Kreditů:4
Cvičící:Voves J. Semestr:Z,L

Anotace:

Základy TCADu. Simuláční systémy Silvaco Atlas a Synopsys Quantum ATK: Principy, aplikace. Základní rovnice, okrajové podmínky, numerické metody. Modely rekombinace, nárazové ionizace, pohyblivosti. Praktická cvičení formou individuálních projektů souvisejících s tématem studentovy disertační práce.

Cíle studia:

Získat teoretické znalosti i praktické zkušenosti pro použití součástkových modelů a simulačních nástrojů.

Obsah:

Úvod do teoretických modelů pro simulaci elektronických součástek. Aplikace těchto modelů v individuálních projektech souvisejících s tématem disertační práce.

Osnovy přednášek:

1. Základy TCAD
2. Technologická simulace
3. Součástková simulace.
4. Principy součástkové simulace, aplikace
5. Základní rovnice
6. Okrajové podmínky
7. Numerické metody
8. Modely rekombinace
9. Modely nárazové ionizace
10. Modely pohyblivosti
11. Smíšená simulace
12. Rovnice vedení tepla
13. Kvantové modely.
14. Srovnání různých systémů TCAD

Osnovy cvičení:

1. TCAD praktický úvod
2. TCAD vstupy, výstupy, grafické rozhraní
3. TCAD individuální projekt
4. TCAD individuální projekt
5. TCAD individuální projekt
6. TCAD individuální projekt
7. TCAD individuální projekt
8 Průběžná prezentace řešení projektu
9. TCAD individuální projekt
10. TCAD individuální projekt
11. TCAD individuální projekt
12. TCAD individuální projekt
13. TCAD individuální projekt
14. Závěrečná prezentace řešení projektu

Literatura:

Silvaco TCAD manuals, Silvaco Inc. 2017, Synopsys/Quantumwise Reference manual 2017
M. Lundstrom, J. Guo: Nanoscale Transistors - Device physics, Modeling and Simulation, Springer 2006
K. Goser, P. Glösekötter, J. Dienstuhl, Nanoelectronics and Nanosystems, Springer, 2004.
Ch. Kittel: Introduction to Solid State Physics, 8th ed., Wiley 2005

Požadavky:

Fyzika polovodičů

Poznámka:

Principles and Applications of Device Models

Klíčová slova:

TCAD, součástkové modely, simulace

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:

Plán Obor Role Dop. semestr
DOKP Před zařazením do oboru S
DOKK Před zařazením do oboru S


Stránka vytvořena 30.11.2020 17:50:52, semestry: L/2021-2, Z,L/2020-1, L/2019-20, Z/2021-2, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)
Za obsah odpovídá: doc. Ing. Ivan Jelínek, CSc.