Popis předmětu - A0M13MKV

Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
A0M13MKV Moderní komponenty výkonové elektroniky Rozsah výuky:2+2L
Garanti:  Role:V Jazyk výuky:CS
Vyučující:  Zakončení:Z,ZK
Zodpovědná katedra:13113 Kreditů:5 Semestr:L

Anotace:

Výkonové polovodičové součástky (diody, tyristory, MOSFET, IGBT) a integrované struktury (moduly). Struktura, funkce, charakteristiky a parametry, podmínky pro spolehlivý provoz. Sériové a paralelní řazení součástek Provozní spolehlivost komponentů a zařízení.

Výsledek studentské ankety předmětu je zde: A0M13MKV

Cíle studia:

Seznámit studenty se strukturou, funkcí, základními parametry moderních výkonových polovodičových součástek.

Osnovy přednášek:

1. Úvod do problematiky. Základní fyzikální principy.
2. Polovodiče pro VPS (Si, GaAs, SiC) a jejich parametry.
3. Výkonové diody P-I-N. Aplikačně specifické diody s rychlou komutací.
4. Schottkyho diody. Kombinované diody.
5. BJT. Tyristor.
6. Moderní součástky tyristorového typu (GTO, IGCT).
7. Výkonový MOSFET (VD MOS, T MOS). SJ MOS
8. IGBT. PT a NPT struktury
9. Výkonové součástky pro vysoké frekvence. RF LDMOS, HJT
10. Výkonové integrované obvody (PIC). Výkonové moduly (IPM).
11. Chlazení a proudová zatížitelnost součástek.
12. Pouzdra a chladice vykonovych soucástek
13. Sériové a paralelní řazení součástek
14. Podmínky spolehlivého provozu ve výkonových měničích.

Osnovy cvičení:

1. Organizační záležitosti, úvod do problematiky
2. Výklad první skupiny laboratorních úloh s ukázkami
3. Výklad druhé skupiny laboratorních úloh s ukázkami
4. Výklad třetí skupiny laboratorních úloh s ukázkami
5. Výklad čtvrté skupiny laboratorních úloh s ukázkami
6. Měření teplotní závislosti závěrných charakteristik tyristorů a diod
7. Měření teplotní závislosti propustných charakteristik tyristorů a diod
8. Měření dynamických procesů při závěrném zotavení diod
9. Měření teplotní závislosti charakteristik výkonových tranzistorů, MOSFET a IGBT
10. Měření dynamických parametrů polovodičových spínačů
11. Měření vlivu zátěže na trajektorii pracovního bodu polovodičových spínačů
12. Měření parametrů pasivních součástek
13. Měření transientní tepelné impedance součástek a chladičů
14. Zápočet

Literatura:

1. Benda, V., Papež, V. Výroba silnoproudých zařízení II. Praha: ČVUT. 2001
2. Benda, V., Gowar, J., Grant, G. A. Power Semiconductor Devices. Chichester: J.Wiley & Sons. 1999
3. Benda, V., Papež, V.: Komponenty výkonové elektrotechniky - laboratorní cvičení, Praha, ČVUT, 2005
4. Vobecký, J., Záhlava, V. Elektronika - součástky a obvody, principy a příklady. Praha: Grada. 2000

Požadavky:

Student musí získat nejprve zápočet, aby byl připuštěn ke zkoušce

Poznámka:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14p+6l

Webová stránka:

https://moodle.fel.cvut.cz/courses/A0M13MKV

Klíčová slova:

výkonové polovodičové součástky, diody, tyristory, IGBT, IGCT, MOS, SJ FET, chlazení, spolehlivost

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:

Plán Obor Role Dop. semestr
MPBIO1 Biomedicínská informatika V
MPBIO2 Biomedicínské inženýrství V
MPIB Před zařazením do oboru V
MPKME1 Bezdrátové komunikace V
MPKME5 Komunikační systémy V
MPKME4 Sítě elektronických komunikací V
MPKME3 Elektronika V
MPKME2 Multimediální technika V
MPEEM1 Technologické systémy V
MPEEM5 Ekonomika a řízení elektrotechniky V
MPEEM4 Ekonomika a řízení energetiky V
MPEEM3 Elektroenergetika V
MPEEM2 Elektrické stroje, přístroje a pohony V
MPKYR4 Letecké a kosmické systémy V
MPKYR1 Robotika V
MPKYR3 Systémy a řízení V
MPKYR2 Senzory a přístrojová technika V


Stránka vytvořena 19.7.2019 17:51:25, semestry: Z,L/2020-1, L/2018-9, Z,L/2019-20, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)
Za obsah odpovídá: doc. Ing. Ivan Jelínek, CSc.