Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
17MMO Monolitické mikrovlnné obvody Rozsah výuky:2+2
Přednášející (garant):Hoffmann K. Typ předmětu:S Zakončení:Z,ZK
Zodpovědná katedra:317 Kreditů:4 Semestr:Z

Anotace:
Předmět se zabývá základní problematikou mikrovlnných obvodů používaných na monolitických čipech. Planární vedení. S-parametry, šumové parametry, impedanční přizpůsobování. Prvky se soustředěnými parametry. Tranzistory FET a HEMPT. Schottky a PIN diody. Zesilovače, oscilátory, směšovače, fázové posouvače, pŕepínače, atenuátory. Měření na čipu.

Osnovy přednášek:
1. Úvod, proč MMO, aplikace
2. Základy vf a mikrovlnné techniky, vedení, Smithův diagram
3. S-parametry, šumové parametry, přizpůsobování impedancí
4. Mikropáskové, koplanární a vázané vedení
5. Planární diskontinuity
6. Planární prvky se soustředěnými parametry
7. Mikrovlnné tranzistory, FET, HEMPT, Schottky a PIN diody
8. Mikrovlnné zesilovače, stabilita, přizpůsobování
9. Zesilovače nízkošumové a výkonové
10. Zesilovače zpětnovazební, s rozloženými parametry, vyvážené
11. Směšovače, fázové posouvače, přepínače, atenuátory
12. Mikrovlnné tranzistorové oscilátory
13. Základy mikrovlnného měření, vektorové a skalární analyzátory
14. Měření na čipu, korekční metody

Osnovy cvičení:
1. Seznámení s programem MIDE
2. Modelování parametrů planárních vedení
3. Modelování parametrů planárních vedení
4. Modelování vlivu diskontinuit, impedanční přizpůsobování
5. Základní parametry mikrovlnných tranzistorů
6. Návrh mikrovlnného zesilovače
7. Návrh mikrovlnného zesilovače
8. Návrh mikrovlnného zesilovače
9. Mikrovlnný tranzistorový oscilátor
10. Mikrovlnný tranzistorový oscilátor
11. Mikrovlnný tranzistorový oscilátor
12. Seznámení s vektorovým analyzátorem obvodů
13. Přesné měření s-parametrů
14. Kontrola projektů. Zápočet

Literatura Č:
[1] Hoffmann, K.: Planární mikrovlnné obvody, ČVUT Praha, 2000, [2] Gupta, K.C., Garg, R., Chadha, R.: Computer-Aided Design of Microwave Circuits. Artech House, Dedham 1981
[3] Vendelin, G. D.: Design of Amplifiers and Oscillators by the S-parameter Method. John Wiley, New York 1982

Literatura A:
[1] Gupta, K.C., Garg, R., Chadha, R.: Computer-Aided Design of Microwave Circuits. Artech House, Dedham 1981
[2] Vendelin, G. D.: Design of Amplifiers and Oscillators by the S-parameter Method. John Wiley, New York 1982

Požadavky:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 14+4
Typ cvičení: s, c, p

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
Plán Obor Role Dop. semestr
*BIO Biomedicínské inženýrství F 9


Stránka vytvořena 25. 2. 2002, semestry: Z/2001-2, Z/2002-3, L/2001-2, L/2002-3, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)