1. | | Krystalová struktura polovodičů. Poruchy krystalové mřížky |
2. | | Pásový model polovodičů. Efektivní hmotnost, hustota stavů |
3. | | Polovodič v termodynamické rovnováze. Výpočet polohy Fermiho hladiny |
4. | | Transport nosičů náboje v polovodičích. Srážkové mechanizmy |
5. | | Elektrony a díry v nerovnováze. Generace a rekombinace |
6. | | PN přechod, heteropřechody, pásové inženýrství |
7. | | Polovod. Mechanizmy průrazu, mikrovlnné diody, rezonanční tunelování |
8. | | Bipolární tranzistory, neideální jevy, heterostrukturní bipolární tranzistory |
9. | | Tranzistory JFET, MESFET, tranzistor s vysokou pohyblivostí elektronů |
10. | | Struktura MOS, kapacita struktury MOS, neideální jevy |
11. | | MOSFET, jevy krátkého kanálu, CCD |
12. | | Polovodičové detektory záření, polovodičový fotonásobič |
13. | | Polovodičové zdroje záření, lasery s kvantovou jámou |
14. | | Kvantově vázané součástky, Blochovy oscilace, Coulombovská blokáda |
1. | | Příprava laboratorních měření |
2. | | Měření na polovodičové diodě |
3. | | Měření na heterostuktuře |
4. | | Měření na struktuře MOS |
5. | | Měření polovodičového laseru |
6. | | Měření kvantově vázané součástky |
7. | | Příprava počítačových simulací |
8. | | Simulace diod |
9. | | Simulace bipolárních tranzistorů |
10. | | Simulace unipolárních tranzistorů |
11. | | Simulace optoelektronických součástek |
12. | | Simulace kvantových jevů |
13. | | Zápočtový test |
14. | | Zhodnocení semestru, zápočty |
[1] | | Voves, J.: Fyzika polovodičových součástek. Skripta ČVUT, Praha 1997 |
[2] | | Frank, H.: Fyzika a technika polovodičů. SNTL, Praha 1990 |
[3] | | Voves, J., Kodeš, J.: Elektronické součástky nové generace. Grada, Praha 1995 |
[4] | | Neamen, D. A.: Semiconductor Physics and Devices. Irwin, 1992 |
[5] | | Streetman, B. G.: Solid State Electronic Devices. Prentice-Hall, 1980 |
[6] | | Wang, F. F. Y.: Introduction to Solid State Electronics. North Holland, 1989 |