XD34AVS | Aplikace výkonových polovodičových součástek | Rozsah výuky: | 14+4 | ||
---|---|---|---|---|---|
Přednášející (garant): | Jirásek L. | Typ předmětu: | S | Zakončení: | Z,ZK |
Zodpovědná katedra: | 334 | Kreditů: | 4 | Semestr: | Z |
Anotace:
Statické a dynamické procesy ve výkonových součástkách v propustném, blokovacím a závěrném režimu. Výkonové diody, bipolární tranzistory, tyristory, polem řízené výkonové součástky, rychlé a vysokonapěťové součástky, výkonové IO - charakteristiky, vlastnosti a užití. Pouzdření. Životnost a spolehlivost. Zatěžování a přetěžování. Ochranné obvody. Principy aplikací, základní řídicí a uživatelské obvody. Chlazení součástek. Návrh chladičů. Práce s katalogovými údaji.
Osnovy přednášek:
1. | Typy výkonových polovodičových součástek, dosažitelné parametry, přehled užití | |
2. | Transport nosičů náboje a průrazné napětí ve výkonových polovodičových souč. | |
3. | Funkce zákl.stavebních struktur výkonových polov.součástek, důsledky pro užití | |
4. | Výkonová dioda, typy, struktura, vlastnosti, obvodové aplikace | |
5. | Výkonový bipolární tranzistor, typy, vlastnosti, aplikace | |
6. | Tyristory, speciální typy, struktury, vlastnosti, užití | |
7. | GTO. Struktura, vlastnosti, důsledky pro řídící obvody | |
8. | Polem řízené součástky. Výhody a nevýhody. Možnosti užití | |
9. | Specifická aplikační pravidla pro užití polem řízených výkonových polovodičových součástek. | |
10. | Nové typy součástek: s heteropřechody, PIC, SMART PIC. Aplikace | |
11. | Pouzdření. Životnost a spolehlivost výkonových součástek | |
12. | Zatěžování a přetěžování součástek. Důsledky pro návrháře obvodů | |
13. | Chlazení součástek. Návrh chladičů. Práce s katalogovými údaji | |
14. | Ochranné obvody součástek v různých aplikací |
Osnovy cvičení:
1. | Základní vlastnosti polovodičů důležité pro výkonové součástky | |
2. | Základní vlastnosti výkonových polovodičových struktur | |
3. | Výpočet průrazného napětí kolektorového přechodu tranzistoru | |
4. | Simulace jednoduchých struktur na počítači 5. Měření parametru dUD/dt tyristorů | |
6. | Měření na GTO | |
7. | Měření vlastností triaků | |
8. | Práce s tranzistory IGBT | |
9. | Měření parametrů HEXFETů | |
10. | Měření obvodů řízení a ovládání motorů pomocí HEXFETů | |
11. | Měření řídícího obvodu pro ovládání výkonu v zátěži pomocí tyristoru | |
12. | Výpočty přetěžování součástek | |
13. | Návrh jednoduchého chladiče | |
14. | Měření teplotních poměrů na chladiči |
Literatura Č:
1. | Jirásek, L.: Aplikace výkonových polovodičových součástek. Skriptum ČVUT FEL 1998 | |
2. | Baliga, B. J.: Modern Power Devices. Wiley, New York 1985. | |
3. | Ghandi, S. K.: Semiconductor Power Devices. Wiley, New York 1981 |
Literatura A:
1. | Baliga, B. J.: Modern Power Devices. Wiley, New York 1985. | |
2. | Ghandi, S. K.: Semiconductor Power Devices. Wiley, New York 1981. |
Požadavky:
Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
|
Stránka vytvořena 25. 2. 2002, semestry: Z/2001-2, Z/2002-3, L/2001-2, L/2002-3, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů | Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336) |