Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
XD34ESS Elektronické součástky a struktury Rozsah výuky:14+6
Přednášející (garant):Jirásek L., Vaníček F. Typ předmětu:Z Zakončení:Z,ZK
Zodpovědná katedra:334 Kreditů:4 Semestr:L

Anotace:
Základní rovnice pro polovodiče. Měrný odpor, pohyblivost, doba života, průraz Základní stavební prvky současné elektroniky: přechod PN, kontakt kov polovodič, heterogenní přechod, diody, unipolární a bipolární tranzistory, pasivní součástky. Fyzikální mechanismy, principy činnosti, vlastnosti, charakteristiky, parametry a modely součástek.. Základní integrované struktury. Analýza základních zapojení, analyticky a pomocí programu SPICE. Základní měření. Aplikační závěry pro užívání součástek. Šumové vlastnosti součástek.

Osnovy přednášek:
1. Rovnice kontinuity a Poissonova pro polovodiče. Měrný odpor, pohyblivost, doba života.
2. PN přechod, heterogenní přechod. Difúzní napětí, kapacita, injekce, extrakce, V-A charakteristika.
3. Průraz, průrazné napětí,vlastnosti (Ionizační integrál...). Přechod u povrchu. Vliv teploty. Dioda. Model SPICE.
4. Ohmický a Schottkyho kontakt. Povrchové stavy, Schottkyho jev. Vliv teploty
5. Další polovodičové diody. Modely
6. Bipolární tranzistory. Konstrukce, funkce, parametry a charakteristiky. HBT
7. BJT (malý a velký signál). Kmitočtové vlastnosti. Modely pro SPICE. Vliv teploty. Aplikační závěry.
8. BJT v IO: konstrukce, parametry. Proudové zrcadlo, aktivní zátěž, koncový stupeň. TTL.
9. Struktura MIS. Akumulace, inverze. Prahové napětí, potenciálová jáma, tunelování.
10. MOSFET. Model pro malý a velký signál. FAMOS, FLOTOX. EEPROM, FLASH. CCD.
11. Konstrukce, parametry a charakteristiky. Škálování. Modely pro SPICE.
12. CMOS. Invertor, proudový zdroj, aktivní zátěž, diferenční stupeň. BiCMOS.
13. Tranzistory JFET, MESFET, HEMT. Konstrukce, parametry a charakteristiky. SPICE.
14. Šum. Typy, modely, šumové vlastnosti součástek. Metody potlačení šumu.

Osnovy cvičení:
1. Organizační záležitosti. Příklady vlastností polovodičového materiálu.
2. Vlastnosti polovodiče, vodivost, generace, rekombinace. Měření.
3. Vlastností jednoduchých polovodičových struktur
4. Simulace charakteristik a vlastností diod programem "PSPICE".
5. Dvojpólové součástky - výpočty s použitím jednoduchých modelů. Měření parametrů
6. Bipolární tranzistory - pracovní body. Podmínky a pravidla pro návrh pracovního bodu.
7. Bipolární tranzistory - modely ve SPICE, srovnání s měř. vlastnostmi
8. Vliv teploty a napájecího napětí na klidový pracovní bod bipolární tranzistoru
9. Unipolární tranzistory - pracovní body. Podmínky a pravidla pro návrh pracovního bodu
10. Unipolární tranzistory - modely ve SPICE, proměření vlastností.
11. Měření frekvenčních vlastností součástek. Konfrontace s modelem.
12. Ověření vlastností základních zesilovacích stupňů s bipolární.
13. Zápočtový test. Ověření vlastností základních zesilovacích stupňů s unipolární tranzistory.
14. Doměřování laboratorních úloh. Zápočet.

Literatura Č:
1. Vaníček, F.: Elektronické součástky. Principy, vlastnosti, modely. ČVUT, Praha 1999
2. Vaníček, F.: Elektronické součástky. Příklady. ČVUT, Praha 2001.
3. Frank, H. - Šnejdar, V.: Principy a vlastnosti polovodičových součástek. SNTL, Praha 1976.
4. Frank, H.:Fyzika a technika polovodičů. SNTL, Praha 1990.
5. Horowitz, P. - Hill, W.: The Art of Electronics. Cambridge University Press, Cabridge 1980, 89, 90,91,93
6. Kubát, M.: Výkonová polovodičová technika. SNTL, Praha 1978.
7. Sze, S. M.: Physics of Semiconductor Devices. John Wiley & Sons, New York 1981.
8. Floyd, T. L.:Electronic Devices. Macmillan Pub. Comp., New York 1992
9. Bogart, T. F.: Electronic Devices and Circuits. Macmillan Pub. Comp., New York 1993

Literatura A:
1. Horowitz, P. - Hill, W.: The Art of Electronics. Cambridge University Press, Cabridge 1980, 89, 90,91,93
2. Sze, S. M.: Physics of Semiconductor Devices. John Wiley & Sons, New York 1981.
3. Floyd, T. L.:Electronic Devices. Macmillan Pub. Comp., New York 1992
4. Bogart, T. F.: Electronic Devices and Circuits. Macmillan Pub. Comp., New York 1993

Požadavky:

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
Plán Obor Role Dop. semestr
BEST-D Elektronika a sdělovací technika Z 4


Stránka vytvořena 25. 2. 2002, semestry: Z/2001-2, Z/2002-3, L/2001-2, L/2002-3, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)