Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
13VZ2 Výroba silnoproudých zařízení 2 Rozsah výuky:3+2
Přednášející (garant):Benda V. Typ předmětu:Z Zakončení:Z,ZK
Zodpovědná katedra:313 Kreditů:6 Semestr:Z

Anotace:
Předmět je zaměřen na problematiku montáže statických silnoproudých a polovodičových zařízení. Studenti se seznámí se strukturou, parametry a provozními podmínkami výkonových polovodičových součástek (diody, tyristory, GTO, IGBT, atd.). Setkají se zde také se způsoby odvodu ztrátového teplaa hlavními zásadami onstrukce výkonových polovodičových zařízení včetně problematiky EMC.

Osnovy přednášek:
1. Výkonová polovodičová zařízení - charakter výroby
2. Výkonové polovodičové součástky, konstrukce a technologie
3. Proudem řízené součástky (BJT, tyristory)
4. Moderní součástky tyristorového typu (GTO, LTT)
5. Napěťově řízené součástky (MOSFET, SIT)
6. Napěťově řízené bipolární součástky (IGBT, MCT)
7. Pouzdra součástek a jejich elektrické a tepelné parametry
8. Technologie výkonových polovodičových modulů
9. Chlazení a proudová zatížitelnost součástek
10. Technologie pasivních komponent výkonových zařízení
11. Technologie řídicích a pomocných obvodů
12. Technologie výkonových obvodů
13. Technologické aspekty plynoucí z požadavků na EMC
14. Provozní spolehlivost a diagnostika

Osnovy cvičení:
1. Organizační záležitosti, úvod do problematiky
2. Výklad prvního bloku laboratorních úloh
3. Měření teplotní závislosti závěrných charakteristik
4. Měření teplotní závislosti propustných parametrů
5. Měření teplotní závislosti spínacích parametrů
6. Měření teplotní závislosti charakteristik tranzistorů
7. Měření parametrů napájecích usměrňovačů
8. Výklad druhého bloku laboratorních úloh
9. Měření přepětí při závěrném zotavení diod
10. Měření vlivu zátěže na spínací parametry
11. Měření parametrů napěťového řízení IGBT
12. Měření frekvenční závislosti pasivních komponentů
13. Měření transientní tepelné impedance chladičů
14. Zápočet

Literatura Č:
[1] Benda, V.: Výkonové polovodičové součástky a integrované struktury. Monografie ČVUT, Praha 1994
[2] Benda, V.: Silnoproudá zařízení polovodičová - laboratorní měření. Skripta ČVUT, Praha 1991
[3] Ramshaw, R.S.: Power Electronics Semicond. Switches. Chapman & Hall, 1993

Literatura A:
[1] Benda, V. : Power electronic components and systems. Willey and Sons, London 1998
[2] Ramshaw, R.S.: Power Electronics Semicond. Switches. Chapman & Hall, 1993

Požadavky:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 19+4
Typ cvičení: l
Předmět je nabízen také v anglické verzi.

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
Plán Obor Role Dop. semestr
*SELBE Silnoproudá elektrotechnika Z 7
*SELBEB Silnoproudá elektrotechnika Z 7


Stránka vytvořena 25. 2. 2002, semestry: Z/2001-2, Z/2002-3, L/2001-2, L/2002-3, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)