Přehled studia | Přehled oborů | Všechny skupiny předmětů | Všechny předměty | Seznam rolí | Vysvětlivky               Návod
34ES Elektronické součástky Rozsah výuky:3+3
Přednášející (garant):Jirásek L. Typ předmětu:Z Zakončení:Z,ZK
Zodpovědná katedra:334 Kreditů:7 Semestr:Z

Anotace:
Základní rovnice pro polovodiče. Měrný odpor, pohyblivost, doba života, průraz Základní stavební prvky současné elektroniky: přechod PN, kontakt kov polovodič, heterogenní přechod, diody, unipolární a bipolární tranzistory, pasivní součástky. Fyzikální mechanismy, principy činnosti, vlastnosti, charakteristiky, parametry a modely součástek.. Základní integrované struktury. Analýza základních zapojení, analyticky a pomocí programu SPICE. Základní měření. Aplikační závěry pro užívání součástek. Šumové vlastnosti součástek.

Osnovy přednášek:
1. Vlastnosti polovodičů. Energetické pásové diagramy. Vedení proudu
2. Přechod PN v termodynamické rovnováze, polarizace, Shockleyho rovnice
3. Další typy přechodů
4. Polovodičové diody, zejména diody určené pro mikrovlnnou oblast
5. Tranzistory JFET, MESFET. Princip, režimy, vlastnosti, modely
6. Struktura MIS. Tranzistory MOS, typy, režimy, vlastnosti, modely
7. Bipolární tranzistory. Tranzistorový jev. Charakteristiky, režimy
8. Modely a aplikace bipolárních tranzistorů. Vliv teploty, stabilizace
9. Vf vlastnosti bipolárních tranzistorů. Mezní kmitočty
10. Stavební prvky integrovaných obvodů. Provedení, vlastnosti
11. Spínací součástky. Principy, charakteristiky, dynamické chování
12. Optoelektronické součástky. Fotodetektory, LED a injekční laserové diody
13. Elektronky pro různá kmitočtová pásma, výkonové typy
14. Šumové mechanismy a šumové modely elektronických prvků

Osnovy cvičení:
1. Organizační záležitosti, úvod do problematiky
2. Použití programu PSPICE pro simulaci charakteristik bipolárních tranzistorů
3. Simulace charakteristik unipolárních tranzistorů
4. Samostatná práce s programem PSPICE
5. Dvojpólové součástky - výpočty s použitím jednoduchých modelů
6. Unipolární tranzistory
7. Bipolární tranzistory
8. Vlastnosti optoelektronických součástek
9. Měření statických parametrů unipolárních tranzistorů
10. Měření na invertoru CMOS
11. Vliv teploty a napájecího napětí na klidový pracovní bod bipolárního tranzistoru
12. Zápočtový test. Bipolární tranzistory
13. Ověření vlastností základních zesilovacích stupňů s bipolárními tranzistory
14. Zápočet

Literatura Č:
[1] Vanicek F.: Elektronické součástky. Principy, vlastnosti, modely. CVUT, Praha 1999.
[2] Burger, I., Hudec, L.: Elektronické prvky. Alfa, Bratislava 1989
[3] Singh, I.: Semiconductor Devices. Mc.Graw - Hill, New York 1994
[4] Horowitz, P., Hill, W.: The Art of Electronics. Cambridge University Press, 1990

Literatura A:
[1] Singh, I.: Semiconductor Devices. Mc.Graw - Hill, New York 1994
[2] Horowitz, P., Hill, W.: The Art of Electronics. Cambridge University Press, 1990

Požadavky:

Rozsah výuky v kombinované formě studia: 21+6
Typ cvičení: s, l, c
Tento předmět je nabízen také v anglické verzi.

Předmět je zahrnut do těchto studijních plánů:
Plán Obor Role Dop. semestr
*DBE Elektronika a sdělovací technika Z 5
*DBEB Elektronika a sdělovací technika Z 5


Stránka vytvořena 25. 2. 2002, semestry: Z/2001-2, Z/2002-3, L/2001-2, L/2002-3, připomínky k informační náplni zasílejte správci studijních plánů Návrh a realizace: I. Halaška (K336), J. Novák (K336)